Samsung Electronics является одним из лидеров в производстве микросхем памяти DRAM (а также целых модулей RAM следующих...
Samsung Electronics является одним из лидеров в производстве микросхем памяти DRAM (а также целых модулей RAM следующих поколений DDR) и не замедляет темпы инноваций. Компания заявила, что усовершенствовала свой процесс и установила новую веху в производстве DRAM.
Пять слоев DRAM по 14 нм с технологией экстремального ультрафиолета
Сегодня Samsung устанавливает еще одну веху в области многослойной технологии EUV, которая позволила добиться максимальной миниатюризации на 14 нм – подвиг, недостижимый с обычным фторидом аргона (ArF). Это улучшение позволяет нам предоставлять самые разнообразные решения для памяти, полностью отвечающие потребностям современного мира.
DRAM все еще сокращает диапазон 10 нм, заявленное внедрение технологии EUV становится еще более важным. Это приведет к повышению точности разбрызгивания, что приведет к повышению эффективности производства. Samsung Electronics использует до пяти слоев EUV в 14-нм DRAM, что обеспечивает наивысшую битовую плотность и общую производительность пластины на 20 процентов. Важно отметить, что этот процесс помогает снизить потребление энергии почти на 20%. по сравнению с предыдущим поколением DRAM.
Новый метод Samsung с потенциалом в профессиональном сегменте
Используя стандарт Samsung DDR5 и 14-нм DRAM, компания может обеспечить скорость до 7,2 Гбит/с, что более чем вдвое превышает скорость DDR4 (3,2 Гбит/с). Samsung Electronics планирует расширить предложение 14 нм DDR5, включая продукты для центров обработки данных, суперкомпьютеров и серверных приложений, прежде всего профессиональных приложений. Также компания планирует увеличить плотность 14 нм DRAM до 24 Гб, что позволит предлагать еще более емкие модули по выгодным ценам, что очень важно, особенно для продвинутых ИТ-систем.